中山大学 电子与信息工程学院, 广州 510006
设计了一种应用于脉冲式激光雷达系统中基于模拟存储原理的模数转换器(ADC)芯片。介绍了ADC在激光雷达中的功能原理, 设计搭建了高速时序控制电路和模拟存储阵列, 并配合设计了低速流水线ADC内核电路和附属的PLL模块。仿真结果表明, 该模拟存储ADC电路在激光雷达的具体应用中, 可用25 MHz的低速ADC达到1.6 GHz ADC的等效功能。
激光雷达 高速模拟存储 时序控制 流水线ADC LiDAR high speed analog storage sequence control pipelined ADC
1 江西理工大学建筑与测绘工程学院, 江西 赣州 341000
2 中国气象科学研究院 灾害天气国家重点实验室,北京 100081
3 成都信息工程学院大气科学学院,高原大气与环境四川省重点实验室, 四川成都 610225
利用两个AERONET站点(Hangzhou－ZFU、SACOL)的Level 2 AOD数据对比验证CALIOP Level 2 气溶胶光学厚度(aerosol optical depth, AOD)数据。结果表明: Hangzhou－ZFU、SACOL站的相关系数为0.87、0.85,回归方程的斜率为0.76、0.92,这表明CALIOP AOD与AERONET AOD显著相关,在这 两个站点及附近区域具有适应性。基于2008～2015年无云条件下的CALIOP Level 3月气溶胶产品和同期的MODIS Terra/Aqua Level 3月气溶胶产品,对比分析中国东南和西北区域气溶胶光学厚度(aerosol optical depth, AOD)时空分布特征。分析表明: 中国东南区域AOD季节与空间变化明显, AOD高值主要分布在长三角、珠三角等地,且夏季最高、春季次之,秋冬季相当。 MODIS AOD月均值保持在在0.25～0.8之间,且与CALIOP 夜间AOD值接近,但与CALIOP白天AOD值差异较大,最大相差值可达0.45。 中国西北区域两种卫星获取的AOD值空间分布非常相似,其高值区都位于塔里木盆地、准格尔盆地和柴达木盆地；AOD值春季最高, 夏季减少、冬季次之、秋季最低; MODIS AOD值波动显著且普遍高于CALIOP AOD值。
时空变化 AOD月均值 CALIOP AOD CALIOP AOD MODIS AOD MODIS AOD spatio-temporal variation monthly mean AOD 大气与环境光学学报
2017, 12(3): 210
1 江西理工大学建筑与测绘工程学院, 江西赣州 343100
2 中国气象科学研究院灾害天气国家重点实验室,北京 100081
利用长时间序列(2007～2014年)的MODIS/Terra数据探讨了江西地区气溶胶光学厚度(aerosol optical depth, AOD)空间变化特征,发现该地区平均AOD呈 现由南往北逐渐递增的趋势,其中,九江和南昌达到最高。同时,利用CALIPSO/CALIOP 垂直特征掩膜获得了气溶胶层与云层的混合和分离状态,计算了气溶胶、 不同子类型气溶胶和云的垂直概率分布和最大似然高度(maximum probability height, MPH)。结果表明:气溶胶主要聚集在1～3.5 km,气溶胶 层和云层混合状态出现的概率高于分离状态。在2～4 km之间,春季污染沙尘出现的概率最高,冬季次之,夏季与秋季相当,而烟尘气溶胶夏季 出现的概率最高,春、冬季相当,秋季次之。基于夜间CALIOP数据计算得到的气溶胶和云的MPH均表现出较大的季节差异性。
气溶胶 云 垂直特征掩膜 垂直分布 最大似然高度 aerosol cloud CALIPSO CALIPSO CALIOP CALIOP vertical feature mask vertical distribution maximum probability height 大气与环境光学学报
2016, 11(5): 391
华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术实验室，广州 510631
对物理随机码发生器的物理参量与其产生的随机码序列的随机性关系进行了分析．根据量子保密通信对随机码序列的随机性的要求，分析了常见的随机码发生器产生的随机码的随机性，给出了利用随机高斯噪音经比较器产生随机码的随机码发生器的随机性公式．
量子保密通信 真随机码 信息熵 相关系数 Quantum cryptography systems True random number Correlation coefficient Entropy
华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术实验室，广州 510631
介绍了在高于253K的温度下，实现红外单光子探测的实验．选用拉通电压较高的雪崩光电二极管(APD)，设计制作了非线性限流技术保护高温工作的APD，利用半导体热电制冷器，在256．8K的温度下，实现了1550nm波段的单光子探测实验．单光子探测的暗记数率为3．13×10－5ns，在220kHz／s的单光子脉冲速率下，探测效率为2．08%．
应用光学 红外单光子探测 暗计数 热电制冷 Applied optics Infrared single photon detectors Dark counting Peltier-cooler
Author Affiliations
Abstract
1 School for Information and Opto-Electronic Science and Engineering, South China Normal University, Guangzhou 510631
2 Department of Applied Physics, South China University of Technology, Guangzhou 510641
3 College of Applied Physics, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510090
Dark-current-voltage curves and photon-current-voltage curves were measured by a passive quenched circuit so that the voltage applied to the avalanche photodiode can be much higher than breakdown voltage in study on the depth of punch through. The photo-current-voltage curve indicated clearly the punch-through voltage while the dark current-voltage curve is insensitive to the punch through. Furthermore, the avalanches initiated by the photo-generated carrier at a voltage lower than that from the thermo-generated carriers and explained based on the different distribution of the carriers.
040.5570 Quantum detectors 040.3060 Infrared 040.3780 Low light level 040.5160 Photodetectors 230.5170 Photodiodes 270.5290 Photon statistics Chinese Optics Letters
2005, 3(0s): 62
Author Affiliations
Abstract
1 School for Information and Opto-Electronic Science and Engineering, South China Normal University, Guangzhou 510631
2 Department of Applied Physics, South China University of Technology, Guangzhou,510641
3 College of Applied Physics, Guangdong University of Technolody, Guangzhou 510090
The passively quenched operation of avalanche photodiode (APD) has been used to characterizing InGaAs/InP APD including punch through voltage, avalanche voltage and break down voltage that are all important in the design of APD for single photon detection. The punch through voltage at certain doping level can be related to the thickness of the InP multiplication layer and the thickness of the un-intentionally doped n-type InP layer can be adjusted in according to the experimental data. The analysis indicates that the punch through voltage should be close to the breakdown voltage that can be realized by adjusting the thickness of InP multiplication layer.
040.3060 Infrared 040.3780 Low light level 040.5570 Quantum detectors 160.1890 Detector materials 230.5160 Photodetectors 270.5570 Quantum detectors Chinese Optics Letters
2005, 3(0s): 31
